FOD8321数据手册ONSEMI中文资料规格书
FOD8321规格书详情
描述 Description
FOD8321是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。 它采用飞兆半导体的共面封装技术Optoplanar®以及优化的IC设计，可实现可靠的高绝缘电压和高抗噪能力。 它是由与具有高速驱动器的集成电路进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，可实现推挽式MOSFET输出级。 该器件包含在一个宽体5引脚小型塑料封装中。
特性 Features
• 飞兆Optoplanar®封装技术提供不到8mm爬电和间隙距离以及0.5mm内部绝缘距离的可靠高绝缘电压，同时还提供紧凑的尺寸
• 为中等功率的IGBT/MOSFET提供2.5A的输出电流驱动能力
• 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨
• 20kV/µs最小共模抑制
• 15V至30V的宽电源电压范围
• 在整个工作温度范围内具有快速开关速度
• 500ns（最大值） 传播延迟
• 300ns（最大值） 脉宽失真度
• 具有滞后的欠压闭锁(UVLO)
• 扩展工业温度范围在-40到100°C之间
• 安全和法规认证
• 1分钟UL1577，5,000 VRMS。
• DIN EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作隔离电压
应用 Application
• AC and Brushless DC Motor Drives
• Industrial Inverter
• Uninterruptible Power Supply
• Induction Heating
• Isolated IGBT/Power MOSFET Gate Drive
技术参数
- 制造商编号
：FOD8321
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- IFLH (Max) (mA)
：7.5
- PWD (Max) (ns)
：300
- VUVLO(Typ) (V)
：12.7
- VUVLO- (Typ) (V)
：11.2
- CMR (Min) (kV/µs)
：20
- VISO (Min) (V)
：5000
- TOPR (Min) (°C)
：-40
- TOPR (Max) (°C)
：100
- Package Type
：SOIC6 W Less Pin 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOP-5W |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOP5 |
3000 |
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询价 | ||
Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
onsemi |
23+ |
TO-18 |
12800 |
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Fairchild |
1930+ |
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SOP5 |
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Fairchild |
22+ |
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ON/安森美 |
22+ |
SOP-5 |
6000 |
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询价 |
