FOD8320数据手册ONSEMI中文资料规格书
FOD8320规格书详情
描述 Description
FOD8320是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动中等功率的IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它采用飞兆半导体的共面封装技术Optoplanar®以及优化的IC设计,可实现可靠的高绝缘电压和高抗噪能力。它是由与具有高速驱动器的集成电路进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成,可实现推挽式MOSFET输出级。 该器件包含在一个宽体5引脚小型塑料封装中。
特性 Features
• ■ 飞兆Optoplanar®封装技术提供大于10mm爬电和安全距离以及0.5mm内部绝缘距离的可靠高压绝缘,同时还提供紧凑的尺寸 ■ 2.5A输出电流驱动能力,针对中等功率IGBT/MOSFET
• P沟道MOSFET在输出级可实现接近于电源电压轨的使能输出电压摆幅■ 35kV/μs最小共模抑制■ 宽电源电压范围: 15V至30V■ 在完整工作温度范围内的快速开关速度:
• 400ns(最大值) 传播延迟
• 100ns(最大值) 脉宽失真度■ 带有滞后功能的欠压闭锁(UVLO)■ 扩展工业温度范围: -40V至100°C■ 安全和法规认证:
• UL1577,5,000 VRMS持续1分钟
• DIN EN/IEC60747-5-2(待审批)
应用 Application
• AC-DC商用电源
• 消费型设备
• 工业级电机
技术参数
- 制造商编号
:FOD8320
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- IFLH (Max) (mA)
:5
- PWD (Max) (ns)
:100
- VUVLO(Typ) (V)
:12.7
- VUVLO- (Typ) (V)
:11.2
- CMR (Min) (kV/µs)
:35
- VISO (Min) (V)
:5000
- TOPR (Min) (°C)
:-40
- TOPR (Max) (°C)
:100
- Package Type
:SOIC6 W Less Pin 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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