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FOD3120数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FOD3120

功能描述

高抗扰度,2.5A 输出电流,门极驱动器光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:47:00

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FOD3120规格书详情

描述 Description

FOD3120是一个2.5A的输出电流栅极驱动光电耦合器,可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。该器件采用飞兆专有的共面封装技术,Optoplanar®,优化了IC设计,通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。它由砷铝化镓(AlGaA)发光二极管(LED)组成,该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路,以实现推挽式MOSFET输出级。

特性 Features

• 具有35kV/µs(最小值)共模抑制特点的高抗噪能力
• 2.5A峰值输出电流驱动能力,可驱动大部分800V/20A IGBT
• 使用输出级的P沟道MOSFET可使输出电压摆幅接近供电轨
• 15V至30V的宽电源电压范围
• 快速开关速度
• 400ns(最大值) 传播延迟
• 100ns(最大值) 脉宽失真度
• 具有滞后的欠压闭锁(UVLO)
• 扩展工业温度范围为-40°C至100°C
• 安全和法规认证
• 1分钟UL1577,5000 VRMS。
• IEC60747-5-2
• RDS(ON) = 3Ω(典型值),可实现更低的功耗
• >8.0mm间隙和爬电距离(选项‘T’)
• 不间断电源
• 工业转换器
• 隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动
• 工业加热

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 发电和配电
• 工业级电机
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FOD3120

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • IFLH (Max) (mA)

    :1

  • PWD (Max) (ns)

    :100

  • VUVLO(Typ) (V)

    :12.7

  • VUVLO- (Typ) (V)

    :11.2

  • CMR (Min) (kV/µs)

    :35

  • VISO (Min) (V)

    :5000

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :100

  • Package Type

    :PDIP-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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