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FOD053L中文资料SO 8L,1 Mbit/s,LVTTL/LVCMOS 3.3 V 高速晶体管光耦合器数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FOD053L

功能描述

SO 8L,1 Mbit/s,LVTTL/LVCMOS 3.3 V 高速晶体管光耦合器

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FOD053L规格书详情

描述 Description

FOD050L 和 FOD53L 光电耦合器包含光学耦合至高速光电检测晶体管的 AlGaAs LED。 这些器件指定在 3.3 V 电压的条件下运行。通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏置使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制,CMH = 50 kV/μs(典型值)和 CML = 35 kV/μs(典型值)。

特性 Features

• 低功耗
• 高速
• 采用单通道 8 引脚 SOIC (FOD050L) 或双通道 8 引脚 SOIC (FOD053L)
• 出色的 CMR – CMH = 50 kV/μs(典型值)和 CML = 35 kV/μs(典型值)
• 在 m0°C 至 70°C 温度范围内保证性能
• 安全和法规认证:
• UL1577、2,500 VACRMS(1 分钟)
• DIN-EN/IEC60747-5-5,565 V 峰值工作绝缘电压

应用 Application

• 发电和配电
• 工业级电机
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FOD053L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Data Rate

    :1

  • VCC (Max) (V)

    :7

  • VCC (Min) (V)

    :-0.5

  • Channels

    :2

  • IFT (Max) (mA)

    :-

  • CTR (Min) (%)

    :15

  • CTR (Max) (%)

    :50

  • CTR Tested @IF

    :16

  • VOL (Max) (V)

    :0.3

  • tPHL (Max) (ns)

    :1000

  • tPLH (Max) (ns)

    :1000

  • PWD (Max) (ns)

    :-

  • CMR (Min) (kV/µs)

    :5

  • VISO (Min) (V)

    :2500

  • TOPR (Min) (°C)

    :-40

  • TOPR (Max) (°C)

    :85

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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