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FND360C	文件：409.95 Kbytes Page：4 Pages	SEVEN SEGMENT DISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
FNV360	文件：74.62 Kbytes Page：2 Pages	ADJUSTABLEVIDEODELAYLINES	FaradayFaraday Technology 智原科技智原科技股份有限公司	Faraday
FSV360FP	文件：159.25 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier,SurfaceMount Features •LowForwardVoltageDrop: ♦FSV340FP:0.52VMaximumat3A,TA=25°C ♦FSV360FP:0.65VMaximumat3A,TA=25°C •LargerCathodePadforImprovedPowerDissipation •UltraThinProfile−MaximumHeightof1.0mm •HighSurgeCapacity •ULFlammability94V−0Classification •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSV360FP	文件：554.99 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
FSYC360D	文件：77.15 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYC360R	文件：77.15 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FW360	文件：73.53 Kbytes Page：6 Pages	FW360	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FX-360	文件：1.53323 Mbytes Page：2 Pages	COSTEFFECTIVEPERFECTION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GFC360	文件：102.12 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithhighVDS	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GL360	文件：106.15 Kbytes Page：3 Pages	3.2mmRESINMOLDTypeInfraredLightEmlttingDiode Features 1.Ø3.2mmepoxyresinpackage 2.Intermediatebeamangle(Δθ:TYP.±20°) 3.Highoutput(Øe:MIN.1.5mWatIF=40mA) Applications 1.Floppydiskdrives 2.Optoelectronicswitches 3.Infraredappliedsystems	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

详细参数

型号：
FND360C
制造商：
QT
制造商全称：
QT
功能描述：
SEVEN SEGMENT DISPLAYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FND360C供应商更新时间2025-7-16 11:04:00

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