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FN4998D5	文件：271.3 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=40V,ID=200A RDS(ON)=1.1mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=1.5mΩ@VGS=4.5V(Typ.) VeryLowFOMRDS(ON)×Qg LeadFree MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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FN4998D5

文件：271.3 Kbytes

Page：4 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=40V,ID=200A RDS(ON)=1.1mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=1.5mΩ@VGS=4.5V(Typ.) VeryLowFOMRDS(ON)×Qg LeadFree MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

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深圳市博中泰实业有限公司	FN4A4L-T1B-A/JM贴片三极管	NEC	24+	SOT-23	60000	全新原装现货	询价
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更多FN4998D5供应商更新时间2025-5-29 11:09:00

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