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FN4986D3	文件：1.4261 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=40V,ID=36A RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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FN4986D3

文件：1.4261 Mbytes

Page：4 Pages

N-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=40V,ID=36A RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

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更多FN4986D3供应商更新时间2025-5-12 14:58:00

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