isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：319.4 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：322.86 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

0623:6.3*2.3

Viking光颉

上传：北京明辉峰尚科技有限公司

SOP-16

FM富满

上传：深圳广友电子有限公司