FMMT918中文资料NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
FMMT918 |
参数属性 | FMMT918 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 |
功能描述 | NPN SILICON PLANAR VHF/UHF TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
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FMMT918规格书详情
简介
FMMT918属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的FMMT918晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
FMMT918TC
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
600MHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
6dB @ 60MHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
330mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
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ZETEX |
24+ |
SOT-23 |
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DIODES/美台 |
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