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HMC591

GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC591

Point-to-Multi-PointRadios

MICROSS

Micross Components

HMC591

ActiveBiasControllerHighCurrent

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HN-591

900MHzFrequencyHoppingWirelessDataModem

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

HW591

1/2WATTMETAL

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

HW591

1/2WATTMETAL

NTE

NTE Electronics

KCX591

PNPTransistors

■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-1A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-60V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KZT591

PNPTransistors

■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

LB591

REDOVALLAMPLED

SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd.

首尔半导体首尔半导体有限公司

LB591

REDLAMPLED

SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd.

首尔半导体首尔半导体有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT591-TP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MCC/美微科
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SOT-23
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更多FMMT591-TP供应商 更新时间2025-7-13 14:13:00