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MSK5209HZU	文件：387.86 Kbytes Page：7 Pages	DUALPOSITIVE/NEGATIVE,3AMP,ULTRALOWDROPOUTFIXEDVOLTAGEREGULATORS	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
NCP5209	文件：172.4 Kbytes Page：20 Pages	4-In-1PWMBuckandTri-LinearPowerController	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NE5209D	文件：306.3 Kbytes Page：15 Pages	Widebandvariablegainamplifier DESCRIPTION TheNE5209representsabreakthroughinmonolithicamplifierdesignfeaturingseveralinnovations.ThisuniquedesignhascombinedtheadvantagesofahighspeedbipolarprocesswiththeprovenGilbertarchitecture. TheNE5209isalinearbroadbandRFamplifierwhosegainiscontroll	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5209N	文件：306.3 Kbytes Page：15 Pages	Widebandvariablegainamplifier DESCRIPTION TheNE5209representsabreakthroughinmonolithicamplifierdesignfeaturingseveralinnovations.ThisuniquedesignhascombinedtheadvantagesofahighspeedbipolarprocesswiththeprovenGilbertarchitecture. TheNE5209isalinearbroadbandRFamplifierwhosegainiscontroll	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NTE5209A	文件：32.85 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiode,10Watt짹5Tolerance Features: ●ZenerVoltage3.9Vto200V ●DO4StudMountPackage	NTE NTE Electronics	NTE
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OM5209SC	文件：23.89 Kbytes Page：2 Pages	15Amp,50To400Volts,35To50nstrr	IRF International Rectifier	IRF
OM5209SC	文件：23.82 Kbytes Page：2 Pages	DUALHIGHEFFICIENCYRECTIFIERSINHERMETICMO-078AAPACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SA5209	文件：202.37 Kbytes Page：17 Pages	Widebandvariablegainamplifier DESCRIPTION TheNE5209representsabreakthroughinmonolithicamplifierdesignfeaturingseveralinnovations.ThisuniquedesignhascombinedtheadvantagesofahighspeedbipolarprocesswiththeprovenGilbertarchitecture. TheNE5209isalinearbroadbandRFamplifierwhosegainiscontroll	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
FMMT5209TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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