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MMBT5089	文件：336.35 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Forlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1μAto50mA.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT5089	文件：188.53 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER DESCRIPTION Thedevicesaredesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1μAto50mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT5089	文件：633.53 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Lownoise,highgain. Applications Generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1μAto50mA.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5089	文件：98.34 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1µAto50mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5089	文件：30.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN(LOWNOISETRANSISTOR) NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR LOWNOISETRANSISOTR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MMBT5089	文件：43.08 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ●NPNgeneralpurposeamplifier	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT5089	文件：742.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=100mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=25V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT5089	文件：102.98 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforlownoise,highgain,generalpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsfrom1µAto50mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT5089	文件：510.82 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5089L	文件：188.93 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseTransistors LowNoiseTransistorsNPNSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FMMT5089TA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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