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MMBT5087	文件：345.91 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5087L	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MP5087	文件：975.25 Kbytes Page：15 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithCurrentMonitoring	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087A	文件：594.12 Kbytes Page：14 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithProgrammableCurrentLimit,PowerGood,andOutputDischargeFunction	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087AGG	文件：594.12 Kbytes Page：14 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithProgrammableCurrentLimit,PowerGood,andOutputDischargeFunction	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087GG	文件：975.25 Kbytes Page：15 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithCurrentMonitoring	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MV5087	文件：93.49 Kbytes Page：6 Pages	DTMFGENERATOR [GECPLESSEYSEMI] TheMV5087isfabricatedusingISO-CMOShighdensitytechnologyandofferslowpowerandwidevoltageoperation.Aninexpensive3.58MHzTVcrystalcompletesthereferenceoscillator.Fromthisfrequencyarederived8differentsinusoidalfrequencieswhich,whenappropriatel	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NTE5087A	文件：52.32 Kbytes Page：4 Pages	NTE5061AthruNTE5105AZenerDiode,1Watt5Tolerance Features: •ZenerVoltage110Vto200V •LowCost •LowZenerImpedance •ExcellentClamping •EasilyCleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothene,andSimilarSolvents	NTE NTE Electronics	NTE
SMBT5087	文件：253.13 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconTransistors PNPSiliconTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SMBT5087	文件：68.35 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FMMT5087TA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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