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FMM6G50US60

Compact & Complex Module

文件:986.61 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FMM6G50US60

Compact & Complex Module

ONSEMI

安森美半导体

FMC6G50US60

Compact & Complex Module

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short ci

文件:665.06 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FMMT2222ATA

SOT23

FMMT491

SOT-23

FOSAN/富信

详细参数

  • 型号:

    FMM6G50US60

  • 功能描述:

    IGBT 模块

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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更多FMM6G50US60供应商 更新时间2026-2-3 10:05:00