| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Fairchild/ON7PMGA |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILD模块 |
355 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
146805 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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ON原厂封装 |
5000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273748邹小姐 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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FAIRCHIL100A600V |
900 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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FairchildSemiconductor7PM-GA |
58 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美车规-模块MODULE |
1880 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司8年
留言
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHLDMODULE |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Fairchild/ON7PMGA |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
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FairchildSemiconductorIGBTMOLDING600V100A7PM-G |
1690 |
23+ |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemi7PM-GA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
65700 |
23+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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harris原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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onsemi标准封装 |
2000 |
23+ |
全新原装正品现货直销 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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ON原厂封装 |
5000 |
2305+ |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273749邹小姐 |
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FMG1G1图片
FMG1G100US60H中文资料Alldatasheet PDF
更多FMG1G100US60H功能描述:IGBT 晶体管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FMG1G100US60L功能描述:IGBT 晶体管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FMG1G150US60H功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FMG1G150US60L功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
