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FMC6G20US60数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FMC6G20US60

功能描述

Compact & Complex Module

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    FMC6G20US60

  • 功能描述:

    IGBT 模块

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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