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FMMT549	文件：131.94 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS FeaturesandBenefits •BVCEO>-30V •MaximumContinuousCollectorCurrentIC=-1A •500mWpowerdissipation •Complementarytype: oFMMT549–FMMT449 oFMMT549A–N/A •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT549	文件：36.9 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT549	文件：122.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS FEATURES Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)250mΩat1A 1Ampcontinuouscurrent	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT549	文件：151.06 Kbytes Page：5 Pages	PNPLowSaturationTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT549	文件：25.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPLowSaturationTransistor Features •ThIsdeviceisdesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinous. •SourcedfromprocessPB.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMMT549	文件：225.44 Kbytes Page：5 Pages	30VPNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 FeaturesandBenefits •BVCEO>-30V •MaximumContinuousCollectorCurrentIC=-1A •500mWpowerdissipation •Complementarytype: oFMMT549–FMMT449 oFMMT549A–N/A •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT549	文件：272.85 Kbytes Page：7 Pages	PNPLow-SaturationTransistor Features •Thisdeviceisdesignedwithhigh-currentgainandlow-saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous. •SourcedfromprocessPB.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMMT549A	文件：122.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS FEATURES Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)250mΩat1A 1Ampcontinuouscurrent	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT549A	文件：36.55 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Lowequivalenton-resistance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT549A	文件：131.94 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS FeaturesandBenefits •BVCEO>-30V •MaximumContinuousCollectorCurrentIC=-1A •500mWpowerdissipation •Complementarytype: oFMMT549–FMMT449 oFMMT549A–N/A •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
FMBS549_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMBS549_Q供应商更新时间2025-5-7 11:00:00

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