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HCTS540DMSR	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540HMSR	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HCTS540K	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540K	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540KMSR	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCTS540KMSR	文件：422.08 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Features •3MicronRadiationHardenedCMOSSOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS540MS	文件：135.69 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedInvertingOctalBuffer/LineDriver,Three-State Description TheIntersilHCTS540MSisaRadiationHardenedinvertingOctalBuffer/LineDriver,withtwoactive-lowoutputenables.Theoutputenablepins(OE1andOE2)controlthethreestateoutputs.Ifeitherenableishightheoutputswillbeinthehighimpedancestate.Fordataoutputbothen	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HER540B	文件：247.97 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

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详细参数

型号：
FM540-T
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	FM540-T	FORMOSA	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市振宏微科技有限公司	FM540-T	RECTRON	23+	SMC	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	FM540-T	RECTRON	23+	SMC	12800	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FM540-T	RECTRON	23+	SMCDO-214AB	7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FM540-T	RECTRON	23+	SMCDO-214AB	7600	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	FM540-T	RECTRON	21+	SMC	238	原装现货假一赔十	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	FM540-T-Q	RECTRON	24+	ROHS	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	FM540-W	RECTRON	16+	DO-214AB	56000	鍏ㄦ柊鍘熻鐜拌揣/浠锋牸鍙皥!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FM540-W	RECTRON	20+	DO-214AB	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	FM540-W	RECTRON	24+	DO-214AB	56000	原装现货假一赔十	询价

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