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FND360C	文件：409.95 Kbytes Page：4 Pages	SEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
FNV360	文件：74.62 Kbytes Page：2 Pages	ADJUSTABLEVIDEODELAYLINES	FaradayFaraday Technology 智原科技智原科技股份有限公司	Faraday
FSV360FP	文件：159.25 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier,SurfaceMount Features •LowForwardVoltageDrop: ♦FSV340FP:0.52VMaximumat3A,TA=25°C ♦FSV360FP:0.65VMaximumat3A,TA=25°C •LargerCathodePadforImprovedPowerDissipation •UltraThinProfile−MaximumHeightof1.0mm •HighSurgeCapacity •ULFlammability94V−0Classification •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FSV360FP	文件：554.99 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
FSYC360D	文件：77.15 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYC360R	文件：77.15 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FW360	文件：73.53 Kbytes Page：6 Pages	FW360	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FX-360	文件：1.53323 Mbytes Page：2 Pages	COSTEFFECTIVEPERFECTION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GFC360	文件：102.12 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithhighVDS	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GL360	文件：106.15 Kbytes Page：3 Pages	3.2mmRESINMOLDTypeInfraredLightEmlttingDiode Features 1.Ø3.2mmepoxyresinpackage 2.Intermediatebeamangle(Δθ:TYP.±20°) 3.Highoutput(Øe:MIN.1.5mWatIF=40mA) Applications 1.Floppydiskdrives 2.Optoelectronicswitches 3.Infraredappliedsystems	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

详细参数

型号：
FM360-W
功能描述：
肖特基二极管与整流器 3A 60V Schottky
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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