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FM28V020-SG

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:251.11 Kbytes 页数:14 Pages

RAMTRON

FM28V020-SG

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:410.04 Kbytes 页数:16 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM28V020-SG

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:165.11 Kbytes 页数:14 Pages

RAMTRON

FM28V020-SGTR

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:165.11 Kbytes 页数:14 Pages

RAMTRON

FM28V020-SGTR

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:251.11 Kbytes 页数:14 Pages

RAMTRON

FM28V020-SGTR

256Kbit Bytewide F-RAM Memory

文件:410.04 Kbytes 页数:16 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM28V020-SG

F-RAM (Ferroelectric RAM)

Infineon

英飞凌

FM28V020-SG

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

FM28V020-SGTR

F-RAM (Ferroelectric RAM)

Infineon

英飞凌

FM28V020-SGTR

Package:28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FM28V020-SG

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    F-RAM™

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    140ns

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOIC

  • 描述:

    IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CYPRESS/赛普拉斯
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SOP28
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CYPRESS/赛普拉斯原装正品FM28V020-SG即刻询购立享优惠#长期有货
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多FM28V020-SG供应商 更新时间2025-10-24 18:26:00