FM25V10中文资料1Mb Serial 3V F-RAM Memory数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
FM25V10 |
| 参数属性 | FM25V10 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
| 功能描述 | 1Mb Serial 3V F-RAM Memory |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 13:33:00 |
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FM25V10规格书详情
描述 Description
The FM25V10 is a 1-megabit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by Serial Flash and other nonvolatile memories.
特性 Features
1M bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 131,072 x 8 bits
• High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes
• 10 Year Data Retention
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric ProcessVery Fast Serial Peripheral Interface - SPI
• Up to 40 MHz Frequency
• Direct Hardware Replacement for Serial Flash
• SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)Write Protection Scheme
• Hardware Protection
• Software ProtectionDevice ID and Serial Number
• Device ID reads out Manufacturer ID & Part ID
• Unique Serial Number (FM25VN10)Low Voltage, Low Power
• Low Voltage Operation 2.0V – 3.6V
• 90 µA Standby Current (typ.)
• 5 µA Sleep Mode Current (typ.)Industry Standard Configurations
• Industrial Temperature -40°C to +85°C
• 8-pin “Green”/RoHS SOIC Package
技术参数
- 产品编号：
FM25V10-GTR
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
F-RAM™
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
FRAM
- 技术：
FRAM（铁电体 RAM）
- 存储容量：
1Mb（128K x 8）
- 存储器接口：
SPI
- 电压 - 供电：
2V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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