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FM25L16B-DG中文资料F-RAM (Ferroelectric RAM)数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FM25L16B-DG

参数属性

FM25L16B-DG 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8TDFN

功能描述

F-RAM (Ferroelectric RAM)

封装外壳

8-WDFN 裸露焊盘

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:24:00

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技术参数

  • 产品编号:

    FM25L16B-DG

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    F-RAM™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(4x4.5)

  • 描述:

    IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8TDFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SPANSION(飞索)
2022+原装正品
TDFN-8(4x4.5)
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CYPRESS/赛普拉斯
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