FM24CL16B中文资料16Kb Serial 3V F-RAM Memory数据手册Infineon规格书
FM24CL16B规格书详情
描述 Description
The FM24CL16B is a 16-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 38 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by EEPROM and other nonvolatile memories.
特性 Features
16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
• Organized as 2,048 x 8 bits
• High Endurance 1014 Read/Writes
• 38 year Data Retention
• NoDelay™ Writes
• Advanced High-Reliability Ferroelectric ProcessFast Two-wire Serial Interface
• Up to 1MHz Maximum Bus Frequency
• Direct Hardware Replacement for EEPROM
• Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHzLow Power Operation
• 2.7 - 3.65V Operation
• 100 µA Active Current (100 kHz)
• 3 µA (typ.) Standby CurrentIndustry Standard Configuration
• Industrial Temperature -40° C to +85° C
• 8-pin “Green”/RoHS SOIC and TDFN Packages
技术参数
- 产品编号：
FM24CL16B-DGTR
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
F-RAM™
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
FRAM
- 技术：
FRAM（铁电体 RAM）
- 存储容量：
16Kb（2K x 8）
- 存储器接口：
I²C
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-DFN（4x4.5）
- 描述：
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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