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FM22L16	文件：403.46 Kbytes Page：14 Pages	4Mbit Asynchronous F-RAM Memory 文件：403.46 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
FM22L16	文件：189.54 Kbytes Page：15 Pages	4Mbit FRAM Memory 文件：189.54 Kbytes 页数：15 Pages	RAMTRON	RAMTRON
FM22L16	文件：1.95656 Mbytes Page：8 Pages	Nonvolatile F-RAM Memory Module (TWR-FRAM) 文件：1.95656 Mbytes 页数：8 Pages	RAMTRON	RAMTRON
FM22L16	文件：300 bytes Page：1 Pages	4Mbit FRAM Memory	Infineon 英飞凌	Infineon
FM22L16_12	文件：1.95656 Mbytes Page：8 Pages	Nonvolatile F-RAM Memory Module (TWR-FRAM) 文件：1.95656 Mbytes 页数：8 Pages	RAMTRON	RAMTRON
FM22L16-55-TG	文件：189.54 Kbytes Page：15 Pages	4Mbit FRAM Memory 文件：189.54 Kbytes 页数：15 Pages	RAMTRON	RAMTRON
FM22L16-55-TG	文件：403.46 Kbytes Page：14 Pages	4Mbit Asynchronous F-RAM Memory 文件：403.46 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
FM22L16-55-TGTR	文件：403.46 Kbytes Page：14 Pages	4Mbit Asynchronous F-RAM Memory 文件：403.46 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
FM22L16-55-TG	文件：300 bytes Page：1 Pages	工业级 4096kBit 并行 FRAM，速度为 55ns，确保在 -40°C 至 85°C 的宽温度范围内实现可靠的性能。	Infineon 英飞凌	Infineon
FM22L16-55-TGTR	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-RAM（铁电RAM）	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
FM22L16
功能描述：
F-RAM 4M(256Kx16) 55ns F-RAM
RoHS：
否
存储容量：
512 Kbit
组织：
64 K x 8
接口：
SPI
工作电源电压：
2 V to 3.6 V
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube
制造商：
Cypress Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FM22L16供应商更新时间2026-1-23 16:30:00

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