| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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FAISOT623F |
60671 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
42000 |
26+ |
全新原装数量均有多电话咨询 |
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N/A |
30000 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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6年
留言
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FAIRSOT-353 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
3000 |
26+ |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
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1年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-623 |
6000 |
26+ |
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13年
留言
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FSCSMD |
42000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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12年
留言
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onsemiSOT-623F |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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7年
留言
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onsemiSOT-623F |
22360 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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2年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT623F |
8000 |
26+ |
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8年
留言
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onsemiSOT-623F |
22412 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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ON-安森美车规-被动器件 |
76800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
9000 |
26+ |
全新原装数量均有多电话咨询 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
9000 |
26+ |
全新原装数量均有多电话咨询 |
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15年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
15000 |
26+ |
全新原装数量均有多电话咨询 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT623F |
6800 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT623F |
6800 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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10年
留言
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FSC/ON原包装原封□□ |
3000 |
26+ |
原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT623F |
6800 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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6年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT623F |
6800 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
FJZ733采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FJZ733图片
FJZ733RTF中文资料Alldatasheet PDF
更多FJZ733制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier
FJZ733GTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733GTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733LTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733LTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733OTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733RTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733RTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733YTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJZ733YTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

















