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深圳市能元时代电子有限公司

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FAISOT623F

60671

23+

##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童

42000

26+

全新原装数量均有多电话咨询

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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N/A

30000

23+

原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

深圳市安富世纪电子有限公司

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FAIRSOT-353

7300

23+

专注配单,只做原装进口现货

深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

3000

26+

原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存

深圳市佳芯扬电子有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT-623

6000

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深圳市凌旭科技有限公司

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FSCSMD

42000

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiSOT-623F

9350

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiSOT-623F

22360

25+

样件支持,可原厂排单订货!

深圳市宸远科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童SOT623F

8000

26+

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemiSOT-623F

22412

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美车规-被动器件

76800

24+25+/26+27+

1
+:¥10
1000
+:¥10

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童

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FAIRCHILD/仙童

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FAIRCHILD/仙童

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FAIRCHILD/仙童SOT623F

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FAIRCHILD/仙童SOT623F

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FSC/ON原包装原封□□

3000

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FAIRCHILD/仙童SOT623F

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FJZ733制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier

FJZ733GTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733GTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733LTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733LTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733OTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733RTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733RTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733YTF功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

FJZ733YTF_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2