FJV4113R中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
FJV4113R |
| 参数属性 | FJV4113R 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 文件大小 |
46.96 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
Fairchild【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-28 18:25:00 |
FJV4113R规格书详情
Switching Application (Bias Resistor Built In)
• Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
• Built in bias Resistor (R1=2.2KΩ, R2=47KΩ)
• Complement to FJV3113R
产品属性
- 产品编号：
FJV4113RMTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
23 |
189000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+/21+ |
SOT-23 |
9500 |
全新原装现货 |
询价 | ||
FAI |
999999 |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
27000 |
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onsemi(安森美) |
23+ |
SOT233 |
7350 |
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onsemi |
23/22+ |
NA |
9000 |
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ONSemiconductor |
18+ |
NA |
3000 |
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SOT-23 |
23+ |
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23+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
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