FJV3113RMTF 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
FJV3113RMTF
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI
库存数量：
310400
产品封装：
N/A
生产批号：
两年内
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-1 8:02:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：FJV3113RMTF品牌：ONSEMI

原装现货,实单价格可谈

FJV3113RMTF是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商ONSEMI/onsemi生产封装N/A/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的FJV3113RMTF晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
FJV3113RMTF
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
7 页
文件大小：
248.25 kb
资料说明：
NPN Epitaxial Silicon Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
FJV3113RMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

供应商

企业：
深圳良洲科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
Ella
手机：
18870635541
询价：
电话：
0755-21010605
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华强北路1005、1007、1015号华强电子世界2号楼2层22C081

FJV3113RMTF 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 ONSEMI/安森美半导体

FJV3113RMTF

产品属性

供应商

相关型号

相近型号