FJV3104R中文资料NPN 外延硅晶体管，带偏置电阻数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FJV3104R |
| 参数属性 | FJV3104R 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN 外延硅晶体管，带偏置电阻 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | FJV3104R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJV3104R规格书详情
描述 Description
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。
特性 Features
•100 mA 输出电流处理能力
•内置偏置电阻（R1 = 47 KΩ、R2 = 47 KΩ）
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FJV3104R属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的FJV3104R晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：FJV3104R
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
- Polarity
：NPN
- IC Continuous (A)
：0.1
- V(BR)CEO Min (V)
：50
- hFE Min
：68
- R1 (kΩ)
：47
- R2 (kΩ)
：47
- R1/R2 Typ
：
- Vi(off) Max (V)
：
- Vi(on) Min (V)
：
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
23 |
305770 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
PBFREE |
990000 |
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25+ |
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FAIACHILD |
21+ |
SOT23 |
148678 |
原装现货假一赔十 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
24000 |
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SMD |
23+ |
NA |
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1983 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT23 |
30000 |
询价 | |||
ON |
23+ |
原厂原装 |
1761 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
452799 |
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询价 |
