| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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FSCTO-220 |
8265 |
17+ |
原装现货价格绝对优势Y |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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QFN40 |
450000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
821 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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FAIRCHITO-220 |
8264 |
16+ |
原装现货价格绝对优势Y |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
15000 |
23+ |
原装现货假一赔十 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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FSCNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
1 |
21+20+19+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
90000 |
23+ |
渠道可追溯 可开增值税 正规报关 绝不损原包装 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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STTO-220 |
29908 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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仙童TO-220 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
订货 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-220-3 |
67524 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FSCSOT363 |
9980 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ONTO-220 |
60 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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FSC原厂封装 |
20000 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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FJP5027R图片
FJP5027RTU价格
FJP5027RTU价格：￥2.1247品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的FJP5027RTU多少钱，想知道FJP5027RTU价格是多少？参考价：￥2.1247。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，FJP5027RTU批发价格及采购报价，FJP5027RTU销售排行榜及行情走势，FJP5027RTU报价。
FJP5027R中文资料Alldatasheet PDF
更多FJP5027R功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 800V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJP5027RHTU功能描述:TRANSISTOR NPN 800V 3A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
FJP5027RTU功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH VOLTAGE & RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
FJP5027R
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 300mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 200mA，5V
- 频率 - 跃迁：
15MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN 800V 3A TO220-3
