选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-220-3 |
63618 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90750 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-220-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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FAIRCHILDTO-220-3 |
63620 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
50 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85100 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50 |
23+ |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-220-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-220-3 |
63619 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48700 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50 |
23+ |
FJP5021O采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FJP5021O图片
FJP5021OTU中文资料Alldatasheet PDF
更多FJP5021O功能描述:两极晶体管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJP5021OTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJP5021OV功能描述:两极晶体管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
FJP5021OVTU功能描述:两极晶体管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
FJP5021O
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 600mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 600mA,5V
- 频率 - 跃迁:
18MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
TRANS NPN 500V 5A TO220-3