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FJB102TM	文件：362.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FJB102；Package：TO-263；NPN High-Voltage Power Darlington Transistor 文件：362.49 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FJB102	文件：159.03 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Power Darlington Transistor 文件：159.03 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FJB102	文件：278.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：278.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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详细参数

型号：
FJB102
功能描述：
达林顿晶体管 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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更多FJB102供应商更新时间2025-10-31 23:00:00

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