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FJB102	文件：362.49 Kbytes Page：7 Pages	型号：FJB102TM；Package：TO-263；NPN High-Voltage Power Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FJB102
功能描述：
达林顿晶体管 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr.
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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更多FJB102供应商更新时间2025-7-29 15:26:00

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