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FIR2N65ALG中文资料MOS(场效应管)数据手册First规格书

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厂商型号

FIR2N65ALG

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

First First Silicon Co., Ltd

中文名称

福斯特

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FIR2N65ALG

  • 生产厂家

    :First

  • 漏源电压(Vdss)

    :650V

  • 栅源极阈值电压(最大值)

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻(最大值)

    :5 Ω @ 1A,10V

  • 类型

    :N 沟道

  • 功率耗散(最大值)

    :44W(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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