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FIR12N06PG	文件：3.52441 Mbytes Page：7 Pages	Marking：FIR12N06D；Package：SOP-8；N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTP12N06N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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IXTU12N06T	文件：314.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTY12N06T	文件：307.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MTP12N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N06	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12N06EZL	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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