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ISF1108	文件：347.75 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=171A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ·UninterruptiblePowerSupply ·HighSpeedPowerSwitching ·HardSwitchedAnd	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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