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FII40-06D分立半导体产品晶体管-IGBT-阵列规格书PDF中文资料

FII40-06D
厂商型号

FII40-06D

参数属性

FII40-06D 封装/外壳为i4-Pac™-5;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列;产品描述:IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5

功能描述

IGBT phaseleg
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5

文件大小

306.72 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 13:50:00

FII40-06D规格书详情

Features

• NPT IGBT technology

- low saturation voltage

- positive temperature coeffcient for easy paralleling

- fast switching

• HiPerFRED™ diode

- optimized fast and soft reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

• ISOPLUS i4-PAC™ package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

- industry standard outline

- UL registered E 72873

Applications

• single phaseleg

- buck-boost chopper

• H bridge

- power supplies

- induction heating

- four quadrant DC drives

- controlled rectifer

• three phase bridge

- AC drives

- controlled rectifer

FII40-06D属于分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的FII40-06D晶体管 - IGBT - 阵列绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是高效且快速切换的三端功率半导体器件,主要用作电子开关。这些器件用于变频驱动器 (VFD)、电动汽车、火车、灯镇流器和空调等大功率应用中的开关电源,并可用于开关放大器——音响系统和工业控制系统。IGBT 阵列在一个封装中包含多个器件,并且采用全桥或半桥配置。

产品属性

  • 产品编号:

    FII40-06D

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,25A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5

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