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FID60-06D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FID60-06D

参数属性

FID60-06D 封装/外壳为i4-Pac™-5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

功能描述

IGBT Boost Chopper in ISOPLUS i4-PAC
IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

封装外壳

i4-Pac™-5

文件大小

49.16 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 23:01:00

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FID60-06D规格书详情

FID60-06D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的FID60-06D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FID60-06D

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    1mJ(开),1.4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    300V,30A,22 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
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