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FHU4N60E数据手册FeiHong中文资料规格书

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厂商型号

FHU4N60E

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

FeiHong Guangzhou Feihong Semiconductor Technology Co., Ltd

中文名称

飞虹 广州飞虹半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:40:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHU4N60E

  • 生产厂家

    :FeiHong

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)

    :4A(Tc)

  • 栅源极阈值电压

    :4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻

    :2.4Ω @ 2A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C)

    :25W(Tc)

  • 类型

    :N沟道

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