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FHC2511D中文资料ESD Device数据手册FutureWafer规格书

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厂商型号

FHC2511D

功能描述

ESD Device

制造商

FutureWafer FutureWafer Tech Co.,Ltd

中文名称

未来芯

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FHC2511D

  • 生产厂家

    :FutureWafer

  • Breakdown Voltage

    :2.8 VSB.Min

  • Peak Pulse Current

    :11 A

  • Junction Capacitance

    :3.0 pF.Max

  • Configure

    :Bi-Dir

  • Peak Pulse Power

    :100 W

  • ESD Level

    :20 KV

  • Package

    :DFN1006-2L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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