FH102A-TR-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
FH102A-TR-E
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi
库存数量：
9350
产品封装：
6-TSSOP SC-88 SOT-363
生产批号：
26+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2026-10-13 16:31:00

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原厂料号：FH102A-TR-E品牌：onsemi

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FH102A-TR-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商onsemi生产封装6-TSSOP SC-88 SOT-363/6-TSSOP，SC-88，SOT-363的FH102A-TR-E晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
FH102A-TR-E
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
8 页
文件大小：
510.26 kb
资料说明：
RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
FH102A-TR-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 20mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
6-MCP
描述：
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

供应商

企业：
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
商铺：
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FH102A-TR-E 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 ONSEMI/安森美半导体

FH102A-TR-E

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