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FGP30N6S2D分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FGP30N6S2D |
| 参数属性 | FGP30N6S2D 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 45A 167W TO220AB |
| 功能描述 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
281.66 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Fairchild Semiconductor |
| 企业简称 |
FAIRCHILD【仙童半导体】 |
| 中文名称 | 飞兆/仙童半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 10:34:00 |
| 人工找货 | FGP30N6S2D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGP30N6S2D规格书详情
General Description
The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.
特性 Features
• 100kHz Operation at 390V, 14A
• 200kHZ Operation at 390V, 9A
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C
• Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V
• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical
• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ
• Low Conduction Loss
产品属性
- 产品编号：
FGP30N6S2D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
- 开关能量：
55µJ（开），100µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
6ns/40ns
- 测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZLG |
23+ |
DIP7 |
69820 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
05+ |
原厂原装 |
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Fairchild/ON |
22+ |
TO220AB |
9000 |
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Fairchild |
23+ |
33500 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO220 |
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Fairchild |
1930+ |
N/A |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
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Fairchild |
22+ |
NA |
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