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FGP3040G2-F085分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FGP3040G2-F085

参数属性

FGP3040G2-F085 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 41A TO220-3

功能描述

ECOSPARK 2 300 mJ, 400 V, N-Channel Ignition IGBT
IGBT 400V 41A TO220-3

丝印标识

FGP3040G2

封装外壳

TO-220-3LD / TO-220-3

文件大小

811.37 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 16:05:00

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FGP3040G2-F085规格书详情

FGP3040G2-F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的FGP3040G2-F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

特性 Features

• SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

• Logic Level Gate Drive

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Applications

• Automotive Ignition Coil Driver Circuits

• Coil On Plug Applications

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FGP3040G2-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    900ns/4.8µs

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 400V 41A TO220-3

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