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FGL60N170D	文件：558.95 Kbytes Page：8 Pages	ElectricalCharacteristicsofIGBT GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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制造商&上传企业

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FGL60N170D

文件：558.95 Kbytes

Page：8 Pages

ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A •HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
FGL60N170DTU
功能描述：
IGBT 晶体管 Copak Discrete IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多FGL60N170DTU供应商更新时间2024-5-1 10:48:00

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