FGH75T65SQDT-F155 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
FGH75T65SQDT-F155
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI/安森美
库存数量：
9850
产品封装：
TO-247
生产批号：
2450+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 18:04:00

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原厂料号：FGH75T65SQDT-F155品牌：ONSEMI/安森美

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FGH75T65SQDT-F155是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ONSEMI/安森美/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的FGH75T65SQDT-F155晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
FGH75T65SQDT-F155
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
10 页
文件大小：
809.35 kb
资料说明：
IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGH75T65SQDT-F155
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
开关能量：
300µJ（开），70µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/120ns
测试条件：
400V，18.8A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
650V 75A FS4 TRENCH IGBT

供应商

企业：
深圳市科恒伟业电子有限公司
商铺：
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联系人：
柯小姐
手机：
15817287769
询价：
电话：
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FGH75T65SQDT-F155 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

FGH75T65SQDT-F155

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