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FGH60N60UFDTU 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

FGH60N60UFDTU参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    FGH60N60UFDTU

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ONSEMI/安森美半导体

  • 库存数量:

    9000

  • 产品封装:

    NA

  • 生产批号:

    23/22+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-5-13 17:02:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:FGH60N60UFDTU品牌:onsemi

代理渠道.实单必成

FGH60N60UFDTU是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商onsemi生产封装NA/TO-247-3的FGH60N60UFDTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    FGH60N60UFDTU

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    FAIRCHILD【仙童半导体】详情

  • 厂商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名称:

    飞兆/仙童半导体公司

  • 内容页数:

    9 页

  • 文件大小:

    767.23 kb

  • 资料说明:

    600V, 60A Field Stop IGBT

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    FGH60N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,60A

  • 开关能量:

    1.81mJ(开),810µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/130ns

  • 测试条件:

    400V,60A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 120A 298W TO247

供应商

  • 企业:

    深圳市华博特电子有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    代理商

  • 手机:

    13528743201

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    深圳市福田区振中路与中航路交汇处新亚洲国利大厦1202