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FGH4L40T120LQD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FGH4L40T120LQD |
| 参数属性 | FGH4L40T120LQD 封装/外壳为TO-247-4；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT |
| 功能描述 | IGBT - Ultra Field Stop 1200 V, 40 A, VCE(Sat) = 1.55V, TO247 4L |
| 封装外壳 | TO-247-4 |
| 文件大小 |
438.77 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-28 17:08:00 |
| 人工找货 | FGH4L40T120LQD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGH4L40T120LQD规格书详情
FGH4L40T120LQD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的FGH4L40T120LQD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost−effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is
well suited for motor driver applications. Incorporated into the device
is a soft and fast co−packaged free−wheeling diode with a low forward
voltage.
特性 Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
• Fast and Soft Reverse Recovery Diode
• Optimized for Low VCE(Sat)
Typical Applications
• Solar Inverter and UPS
• Industrial Switching
• Welding
产品属性
更多- 产品编号：
FGH4L40T120LQD
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，40A
- 开关能量：
1.04mJ（开），1.35mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/218ns
- 测试条件：
600V，40A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-4
- 供应商器件封装：
TO-247-4L
- 描述：
1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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25+ |
TO247 |
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21+ |
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30000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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