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现代芯城(深圳)科技有限公司

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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

深圳市一线半导体有限公司

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FairchildTO-3P

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Fairchild/ONTO3PN

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深圳市芯福林电子科技有限公司

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Fairchild/ONTO3PN

13880

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公司只售原装,支持实单

深圳市创新迹电子有限公司

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Fairchild仙童TO-3P

25000

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深圳市正迈科技有限公司

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深圳市跃创芯科技有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FairchildTO-3P

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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6000

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深圳市旺财半导体有限公司

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Fairchild

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深圳市科雨电子有限公司

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ONTO-3P

3000

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深圳市正迈科技有限公司

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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9350

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Fairchild仙童22+

6000

TO-3P

十年配单,只做原装

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FGA70N30TDTU功能描述:IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    FGA70N30TDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT 300V 201W TO3P