FGA25N120ANTDTU-F109 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
FGA25N120ANTDTU-F109
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON(安森美)
库存数量：
8000
产品封装：
标准封装
生产批号：
24+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-19 12:18:00

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原厂料号：FGA25N120ANTDTU-F109品牌：ON(安森美)

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FGA25N120ANTDTU-F109是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON(安森美)/onsemi生产封装标准封装/TO-3P-3，SC-65-3的FGA25N120ANTDTU-F109晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
FGA25N120ANTDTU-F109
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
9 页
文件大小：
1388.61 kb
资料说明：
1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGA25N120ANTDTU-F109
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT 和沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，50A
开关能量：
4.1mJ（开），960µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
50ns/190ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
IGBT 1200V 50A 312W TO3P

供应商

企业：
深圳市富达微科技有限公司
商铺：
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联系人：
吴小姐
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15697351502
询价：
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FGA25N120ANTDTU-F109 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

FGA25N120ANTDTU-F109

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