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FG1000BV-90DA数据手册MITSUBISHI中文资料规格书

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厂商型号

FG1000BV-90DA

功能描述

High Power Devices-Thyristos GTO Thyristors FG1000BV-90DA

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FG1000BV-90DA

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Repetitive peak off state voltage Max

    :4500V

  • Repetitive controllable on-state current Max

    :1000A

  • Turn-off time Max

    :20μS

  • Package type

    :Press Pack φ47

  • Surge on-state current Max

    :8400V

  • Gate trigger current Max

    :2.5mA

  • Junction temperature Max

    :125℃

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