FFSB0865A分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FFSB0865A |
参数属性 | FFSB0865A 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SBD 8A 650V D2PAK-3 |
功能描述 | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 8 A |
丝印标识 | |
封装外壳 | D2PAK-3 / TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
293.38 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 8:24:00 |
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FFSB0865A规格书详情
FFSB0865A属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的FFSB0865A二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new
technology that provides superior switching performance and higher
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,
temperature independent switching characteristics, and excellent
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and
reduced system size and cost.
特性 Features
• Max Junction Temperature 175°C
• Avalanche Rated 49 mJ
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
• Ease of Paralleling
• No Reverse Recovery/No Forward Recovery
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
Applications
• General Purpose
• SMPS, Solar Inverter, UPS
• Power Switching Circuits
产品属性
更多- 产品编号:
FFSB0865A
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
15.4A
- 速度:
无恢复时间 > 500mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
463pF @ 1V,100kHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK-3(TO-263-3)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE SBD 8A 650V D2PAK-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2022+ |
D2PAK-3 / TO-263-2 |
38550 |
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