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FF650R17IE4V中文资料1700 V、650 A 双 IGBT 模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FF650R17IE4V

参数属性

FF650R17IE4V 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 4150W

功能描述

1700 V、650 A 双 IGBT 模块
IGBT MODULE 1700V 4150W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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FF650R17IE4V规格书详情

描述 Description

PrimePACK ™ 2 1700 V、650 A 半桥双 IGBT 模块专为 CAV 应用开发。包括TRENCHSTOP ™ IGBT4、NTC和快速开关芯片。

特性 Features

• 抗震强度高达 15g

• 扩展工作温度。Tvj op

• 高 DC 稳定性

• 高电流密度

• 低开关损耗

• Tvj op = 150°C

• 低 VCEsat

• CTI 封装 > 400

• 高爬电距离和电气间隙

• 高循环能力

• 铜基板

• UL 认证

简介

FF650R17IE4V属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF650R17IE4V晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF650R17IE4V

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ICmax

    :650 A

  • VCE(sat)(Tvj=25°C typ)

    :2 V

  • VCES / VRRM

    :1700 V

  • VF(Tvj=25°C typ)

    :1.85 V

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Dimensions(width)

    :89 mm

  • Dimensions(length)

    :172 mm

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • Voltage Classmax

    :1700 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Configuration

    :half-bridge

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