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FF650R17IE4V中文资料1700 V、650 A 双 IGBT 模块数据手册Infineon规格书
FF650R17IE4V规格书详情
描述 Description
PrimePACK ™ 2 1700 V、650 A 半桥双 IGBT 模块专为 CAV 应用开发。包括TRENCHSTOP ™ IGBT4、NTC和快速开关芯片。
特性 Features
• 抗震强度高达 15g
• 扩展工作温度。Tvj op
• 高 DC 稳定性
• 高电流密度
• 低开关损耗
• Tvj op = 150°C
• 低 VCEsat
• CTI 封装 > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高循环能力
• 铜基板
• UL 认证
简介
FF650R17IE4V属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF650R17IE4V晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:FF650R17IE4V
- 生产厂家
:Infineon
- ICmax
:650 A
- VCE(sat)(Tvj=25°C typ)
:2 V
- VCES / VRRM
:1700 V
- VF(Tvj=25°C typ)
:1.85 V
- Housing
:PrimePACK™ 2
- Dimensions(width)
:89 mm
- Dimensions(length)
:172 mm
- Technology
:IGBT4 - E4
- Voltage Classmax
:1700 V
- Qualification
:Industrial
- Configuration
:half-bridge
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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